采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C648NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€72W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：18A€89A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C648NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€72W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：18A€89A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVD5C648NLT4G
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：4.1mΩ@45A，10V
功率：3.1W€72W
连续漏极电流：18A€89A
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.1V@250µA
输入电容：2900pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C648NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€72W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@25V
连续漏极电流：18A€89A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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