品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C632NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€115W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:29A€155A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KW
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KW
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KW
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C632NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€115W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:29A€155A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C632NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€115W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:29A€155A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KW
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C632NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€115W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:29A€155A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KW
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KW
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C632NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W€115W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5700pF@25V
连续漏极电流:29A€155A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C684NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C668NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:8.9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KW
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5C648NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.4W€76W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@30V
连续漏极电流:22A€91A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C688NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:18W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:27.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: