品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
连续漏极电流:20A
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1015pF@25V
导通电阻:46mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:1.88W€60W
栅极电荷:30nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y61-60PX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1060pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@4,7A,10V
功率:66W
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD2955T4G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:750pF@25V
类型:P-Channel
阈值电压:4V@250µA
功率:55W
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:180mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3806TRPBF
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:15.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:4V@50µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3806TRPBF
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:15.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR3806TRL
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:15.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR3806TRL
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:15.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:4V@50µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR3806TRL
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:15.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:4V@50µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ850EP-T2_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:1225pF@30V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:23mΩ@10.3A,10V
连续漏极电流:24A
栅极电荷:30nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRFS3806TRLPBF
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
类型:N-Channel
输入电容:1150pF@50V
导通电阻:15.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRFS3806TRLPBF
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:15.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:4V@50µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ158EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
导通电阻:33mΩ@7A,10V
输入电容:1100pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:23A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA60EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:12.5mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD2955T4G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:750pF@25V
阈值电压:4V@250µA
功率:55W
栅极电荷:30nC@10V
导通电阻:180mΩ@6A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3
导通电阻:22mΩ@6A,5V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
输入电容:1250pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
功率:6.8W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR3806TRL
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:15.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ158EP-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:45W
导通电阻:33mΩ@7A,10V
输入电容:1100pF@25V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:23A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR3806TRPBF
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:15.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:4V@50µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86580-F085
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:4.2V@250µA
导通电阻:19mΩ@50A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1430pF@30V
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:50A
栅极电荷:30nC@10V
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):IRFS3806TRLPBF
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:15.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFR3806TRL
连续漏极电流:43A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:15.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
功率:71W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:30nC@10V
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6Y61-60PX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1060pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@4,7A,10V
功率:66W
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD2955T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:180mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ850EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA60EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:30A
类型:N-Channel
导通电阻:12.5mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ850EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@30V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: