品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":21937,"23+":87551,"24+":13400}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":21937,"23+":87551,"24+":13400}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":146}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":21937,"23+":87551,"24+":13400}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@143µA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":146}
规格型号(MPN):IPT012N06NATMA1
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9750pF@30V
功率:214W
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:124nC@10V
阈值电压:3.3V@143µA
连续漏极电流:240A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L,LXHQ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
工作温度:175℃
功率:90W
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
栅极电荷:124nC@10V
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L(T6L1,NQ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
工作温度:175℃
功率:90W
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
栅极电荷:124nC@10V
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: