品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1009pF@30V
连续漏极电流:6A€27A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-094T4G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
导通电阻:94mΩ@6A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
功率:1.5W€48W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM300NB06CR RLG
连续漏极电流:6A€27A
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
阈值电压:3.8V@250µA
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
输入电容:1009pF@30V
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:30mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLWFAFT1G
功率:61W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
阈值电压:2V@53µA
类型:N沟道
连续漏极电流:17A€71A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:755pF@25V
功率:39W
连续漏极电流:8A
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD407
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:115mΩ@12A,10V
输入电容:1185pF@30V
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-094T4G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
导通电阻:94mΩ@6A,10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
功率:1.5W€48W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN017-60YS,115
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
输入电容:1172pF@30V
漏源电压:60V
连续漏极电流:44A
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:15.7mΩ@15A,10V
栅极电荷:20nC@10V
阈值电压:4V@1mA
功率:74W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLT1G
包装方式:卷带(TR)
功率:3.6W€61W
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
连续漏极电流:17A€71A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460ENW-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:755pF@25V
功率:39W
连续漏极电流:8A
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:2.5V
类型:N-Channel
阈值电压:2.5V@250µA
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:755pF@25V
功率:39W
连续漏极电流:8A
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
导通电阻:30mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG
功率:3.2W€63W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:16A€70A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G
连续漏极电流:17A
功率:61W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
阈值电压:2V@53µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG
功率:3.2W€63W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:16A€70A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460ENW-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:755pF@25V
功率:39W
连续漏极电流:8A
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C670NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS6D2N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€61W
阈值电压:2V@53µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:17A€71A
类型:N沟道
导通电阻:6.1mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:16A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5C670NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€63W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:16A€70A
类型:N沟道
导通电阻:6.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: