品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP75DP06LMXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€4.2W
阈值电压:2V@77µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP75DP06LMXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€4.2W
阈值电压:2V@77µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP75DP06LMXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€4.2W
阈值电压:2V@77µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP75DP06LMXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€4.2W
阈值电压:2V@77µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP75DP06LMXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€4.2W
阈值电压:2V@77µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP75DP06LMXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€4.2W
阈值电压:2V@77µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP75DP06LMXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€4.2W
阈值电压:2V@77µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP75DP06LMXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€4.2W
阈值电压:2V@77µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@30V
连续漏极电流:1.1A
类型:P沟道
导通电阻:750mΩ@1.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
输入电容:105pF@30V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
输入电容:105pF@30V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
输入电容:105pF@30V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:105pF@30V
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: