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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415AENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD16NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：40W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415AEN-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4470EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415AENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415AEN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K52-60RAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：32W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415AEN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K52-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：32W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB16NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP16N06QLK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：39mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4470EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4470EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.1W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3165pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFD16N06LESM9A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：90W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.35nF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：47mΩ@16A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB16NF06LT4
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：90mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K52-60E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：32W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：725pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：49mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ7415CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：53W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP16N06QLK-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1W€25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：39mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
