采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1025X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1025X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002AK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW€1.33W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1025X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002AK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW€1.33W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002AK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW€1.33W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1021R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.7nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002AK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW€1.33W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1021R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.7nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002AKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002AK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW€1.33W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002AK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW€1.33W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1025X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002AK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW€1.33W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002AK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW€1.33W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1021R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.7nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002AK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW€1.33W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002AK，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW€1.33W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1021R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.7nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002AKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX7002AKVL
工作温度：-55℃~150℃
功率：265mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.43nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@10V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1021R-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.7nC@15V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1025X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NX138AKR
工作温度：-55℃~150℃
功率：325mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@30V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@190mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1025X-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
