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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@1.037mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@1.037mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
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栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@1.037mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@1.037mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
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输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@1.037mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@1.037mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP650P06NMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：4V@1.037mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
