采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA06EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA06EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M24-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：12.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1469pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M24-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：12.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1469pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M24-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：12.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1469pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：30N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M24-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1469pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：30N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0652DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：55W
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M24-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1469pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA06EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0652DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：55W
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M24-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：12.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1469pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA06EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.7mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：30N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：30N06
工作温度：-55℃~150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1562pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0652DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：55W
栅极电荷：29nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4100pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@17.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
