采购热线 400-661-9010
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB60NF06LT4
工作温度：-65℃~175℃
功率：110W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：66nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB60NF06LT4
工作温度：-65℃~175℃
功率：110W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：66nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB60NF06LT4
工作温度：-65℃~175℃
功率：110W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：66nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB60NF06LT4
工作温度：-65℃~175℃
功率：110W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：66nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB60NF06LT4
工作温度：-65℃~175℃
功率：110W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：66nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB60NF06LT4
工作温度：-65℃~175℃
功率：110W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：66nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB60NF06LT4
工作温度：-65℃~175℃
功率：110W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：66nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB60NF06LT4
工作温度：-65℃~175℃
功率：110W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：66nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB60NF06LT4
工作温度：-65℃~175℃
功率：110W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：66nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB60NF06T4
工作温度：-65℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB60NF06T4
工作温度：-65℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB60NF06LT4
栅极电荷：66nC@4.5V
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：14mΩ@30A，10V
连续漏极电流：60A
阈值电压：1V@250µA
工作温度：-65℃~175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB60NF06LT4
栅极电荷：66nC@4.5V
功率：110W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：60V
导通电阻：14mΩ@30A，10V
连续漏极电流：60A
阈值电压：1V@250µA
工作温度：-65℃~175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB60NF06LT4
工作温度：-65℃~175℃
功率：110W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：66nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB60NF06T4
工作温度：-65℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB60NF06T4
工作温度：-65℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDB5060L
工作温度：-65℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：24nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
