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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ168TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@50mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ168TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@50mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHU002N06FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHU002N06T106
工作温度：150℃
功率：200mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ168TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@50mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHU002N06FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJU002N06T106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@200mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHU002N06T106
工作温度：150℃
功率：200mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：T2N7002AK，LM
工作温度：150℃
功率：320mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.35nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJU002N06FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@200mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ168TE85LF
工作温度：150℃
功率：200mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：85pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@50mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJU002N06T106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@200mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHU002N06T106
工作温度：150℃
功率：200mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHU002N06FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHU002N06FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHU002N06FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHU002N06T106
工作温度：150℃
功率：200mW
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHU002N06FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJU002N06T106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@200mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHU002N06FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJU002N06FRAT106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@200mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJU002N06T106
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.3Ω@200mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SM6K2T110
工作温度：150℃
功率：300mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000
工作温度：150℃
功率：350mW
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
