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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K407TU，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：300mΩ@1A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
功率：500mW
输入电容：150pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3065T100
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：320mΩ@1A，4V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
输入电容：160pF@10V
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：200mΩ@2A，10V
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K407TU，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：300mΩ@1A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
功率：500mW
输入电容：150pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5L020SNTL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
输入电容：180pF@10V
栅极电荷：2.7nC@5V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：170mΩ@2A，10V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：200mΩ@2A，10V
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：200mΩ@2A，10V
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：300mΩ@1A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：150pF@10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5L020SNTL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
输入电容：180pF@10V
栅极电荷：2.7nC@5V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：170mΩ@2A，10V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：200mΩ@2A，10V
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L020SPTCR
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@10V
工作温度：150℃
导通电阻：210mΩ@2A，10V
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：2A
栅极电荷：7.2nC@5V
漏源电压：60V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
功率：1.25W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K407TU，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：300mΩ@1A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
功率：500mW
输入电容：150pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR020N06HZGTL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
输入电容：180pF@10V
栅极电荷：2.7nC@5V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：170mΩ@2A，10V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：200mΩ@2A，10V
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：200mΩ@2A，10V
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"14+"：37900，"15+"：2558，"17+"：48041}
规格型号(MPN)：MCH3486-TL-H
输入电容：310pF@20V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
栅极电荷：7nC@10V
导通电阻：137mΩ@1A，10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：200mΩ@2A，10V
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
输入电容：160pF@10V
栅极电荷：10nC@4V
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：300mΩ@1A，10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
阈值电压：2V@1mA
输入电容：150pF@10V
功率：1W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3065T100
功率：500mW
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：320mΩ@1A，4V
工作温度：150℃
类型：N沟道
阈值电压：1.5V@1mA
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
输入电容：160pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：200mΩ@2A，10V
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：140pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
导通电阻：200mΩ@2A，10V
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5L020SNTL
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
输入电容：180pF@10V
栅极电荷：2.7nC@5V
阈值电压：2.5V@1mA
导通电阻：170mΩ@2A，10V
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJP020N06T100
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
工作温度：150℃
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
漏源电压：60V
输入电容：160pF@10V
栅极电荷：10nC@4V
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L020SPTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2A
导通电阻：210mΩ
漏源电压：-60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2463T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J356R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJP020N06T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：10nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3065T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@1A，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR020N06HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：170mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
