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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
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功率：231W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：231W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
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导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
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栅极电荷：151nC@10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
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规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：151nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：151nC@10V
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输入电容：9815pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVATS5A304PLZT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：108W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
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连续漏极电流：120A
类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
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规格型号(MPN)：FDB029N06
阈值电压：4.5V@250µA
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功率：231W
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：151nC@10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：6200，"22+"：4352，"23+"：1600，"MI+"：3200}
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规格型号(MPN)：FDB029N06
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
功率：231W
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：151nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
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连续漏极电流：120A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB029N06
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
功率：231W
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：151nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：3.1mΩ@75A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2502}
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栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13000pF@20V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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