品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN601K-7
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功率:350mW
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类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN601K-7
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功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN601K-7
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功率:350mW
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601K-7
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
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ECCN:EAR99
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导通电阻:2Ω@500mA,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
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类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN601K-7
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工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
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类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
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行业应用:工业,汽车
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工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
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包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
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ECCN:EAR99
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
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规格型号(MPN):DMN601K-7
功率:350mW
连续漏极电流:300mA
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类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-65℃~150℃
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ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
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包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
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连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
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类型:1个N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
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包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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