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品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR2N7002AK2
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.7Ω@5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR2N7002K2
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.7Ω@5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR2N7002AK2
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.7Ω@5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR2N7002K2
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.7Ω@5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP262N70023R-G
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：720pC@10V
输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP262N70023R-G
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：720pC@10V
输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR2N7002K2
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.7Ω@5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR2N7002K2
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.7Ω@5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP262N70023R-G
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：720pC@10V
输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR2N7002AK2
功率：350mW
连续漏极电流：300mA
阈值电压：1.5V@250μA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.7Ω@5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR2N7002K2
功率：350mW
连续漏极电流：300mA
阈值电压：1.6V@250μA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.7Ω@5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G-ES
功率：350mW
阈值电压：1.6V
栅极电荷：1.8nC
输入电容：28pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：1.85Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G-ES
功率：350mW
阈值电压：1.6V
栅极电荷：1.8nC
输入电容：28pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：1.85Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G-ES
功率：350mW
阈值电压：1.6V
栅极电荷：1.8nC
输入电容：28pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：1.85Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：EIC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@1mA
栅极电荷：800pC@4.5V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@25V
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G-ES
功率：350mW
阈值电压：1.6V
栅极电荷：1.8nC
输入电容：28pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：1.85Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4003NT1G-ES
功率：350mW
阈值电压：1.6V
栅极电荷：1.8nC
输入电容：28pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF
导通电阻：1.85Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：EIC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@1mA
栅极电荷：800pC@4.5V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@25V
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：EIC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@1mA
栅极电荷：800pC@4.5V
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@25V
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP262N70023R-G
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：720pC@10V
输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：600pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
