品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ
功率:100W€840mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:2nF@10V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6L040BGTB1
功率:2W€59W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.32nF@30V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.1mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ
功率:100W€840mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:2nF@10V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6L040BGTB1
功率:2W€59W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.32nF@30V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.1mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6L040BGTB1
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阈值电压:2.5V@1mA
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栅极电荷:18.8nC@10V
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输入电容:1.32nF@30V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.1mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6L040BGTB1
功率:2W€59W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.8nC@10V
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类型:1个N沟道
导通电阻:7.1mΩ@40A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6L040BGTB1
功率:2W€59W
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类型:1个N沟道
导通电阻:7.1mΩ@40A,10V
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ
功率:100W€840mW
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ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
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连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ
功率:100W€840mW
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ
功率:100W€840mW
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导通电阻:6.7mΩ@20A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ
功率:100W€840mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
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连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ
功率:100W€840mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
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连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ
功率:100W€840mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:2nF@10V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6L040BGTB1
功率:2W€59W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.32nF@30V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.1mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6L040BGTB1
功率:2W€59W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.32nF@30V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.1mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6L040BGTB1
功率:2W€59W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.32nF@30V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.1mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6L040BGTB1
功率:2W€59W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.32nF@30V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.1mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ
功率:100W€840mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:2nF@10V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6L040BGTB1
功率:2W€59W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.32nF@30V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.1mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6L040BGTB1
导通电阻:7.1mΩ@40A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@1mA
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
输入电容:1.32nF@30V
栅极电荷:18.8nC@10V
连续漏极电流:40A
功率:2W€59W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ
阈值电压:2.5V@300μA
导通电阻:6.7mΩ@20A,10V
类型:1个N沟道
输入电容:2nF@10V
功率:100W€840mW
栅极电荷:35nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:60V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6L040BGTB1
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
功率:2W€59W
导通电阻:7.1mΩ@40A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:1.32nF@30V
栅极电荷:18.8nC@10V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6L040BGTB1
功率:2W€59W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.32nF@30V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.1mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ
功率:100W€840mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:2nF@10V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6L040BGTB1
功率:2W€59W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.1mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6L040BGTB1
功率:2W€59W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.32nF@30V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.1mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ
功率:100W€840mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:2nF@10V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN6R706NC,L1XHQ
功率:100W€840mW
阈值电压:2.5V@300μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:2nF@10V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.7mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6L040BGTB1
功率:2W€59W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.32nF@30V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.1mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6L040BGTB1
功率:2W€59W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.32nF@30V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.1mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: