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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4961EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SQ4961EY-T1_GE3
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功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.4A
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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连续漏极电流：4.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
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导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
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类型：P沟道
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连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
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连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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栅极电荷：17.7nC@10V
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输入电容：637pF@30V
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类型：P沟道
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功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
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输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMP6A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
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规格型号(MPN)：SQ4961EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ZXMP6A17KTC
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功率：2.11W
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类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
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功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17KTC
功率：2.11W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：60V
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：4.4A
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17KTC
功率：2.11W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：60V
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：4.4A
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
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输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.3A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4961EY-T1_GE3
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
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