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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENEAR 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENEAR 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV88ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:615mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR 起订13个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR 起订13个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV100EPAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:616pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2,2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENER 起订13个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENER 起订13个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV88ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:615mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR 起订24个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR 起订24个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV100EPAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:3.2V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:616pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2,2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV100EPAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:616pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2,2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENEAR 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENEAR 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV88ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:615mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV100EPAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:616pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2,2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENER 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENER 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV88ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:615mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR 起订数100个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR 起订数100个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:3.2V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    输入电容:616pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:130mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENER 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENER 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV88ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:615mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENER 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENER 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV88ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:615mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENEAR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENEAR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV88ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:615mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENER 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENER 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV88ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:615mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV100EPAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:616pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2,2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENER 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENER 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV88ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:615mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENEAR 起订6个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENEAR 起订6个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV88ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:615mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENER 起订8个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENER 起订8个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV88ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:615mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5T 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5T 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENEAR 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV88ENEAR 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV88ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:615mW€7.5W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:196pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV100EPAR 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":75000,"23+":8000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV100EPAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:3.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:616pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@2,2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18541F5 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18541F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:777pF@30V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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