销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF@25V
导通电阻:15mΩ@10V,27.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF@25V
导通电阻:15mΩ@10V,27.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:105pF@25V
导通电阻:15mΩ@10V,27.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT50N06D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:87W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:30pF@25V
导通电阻:11mΩ@10V,25A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT50N06D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:87W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:31nC@10V
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
反向传输电容:30pF@25V
导通电阻:11mΩ@10V,25A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44RPBF-BE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:50A
类型:MOSFET
导通电阻:28mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44RPBF-BE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:50A
类型:MOSFET
导通电阻:28mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:155nC@10V
输入电容:6.12nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个P沟道
导通电阻:15mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44RPBF-BE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:50A
类型:MOSFET
导通电阻:28mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44RPBF-BE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:50A
类型:MOSFET
导通电阻:28mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6021SK3Q-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.143nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,12A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMNH6021SK3Q-13
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.143nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,12A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44RPBF-BE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:50A
类型:MOSFET
导通电阻:28mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: