品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL50N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP65NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":23200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB5412NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
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连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD60NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD60NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@25V
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类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
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库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:管件
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类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD60NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD60NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
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连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL50N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1035pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":23200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB5412NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":24650,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP65NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP65NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":24650,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":24650,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD60NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP60NF06
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD60NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":24650,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5412NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@0V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD60NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1810pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: