品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G230P06K
阈值电压:4V
连续漏极电流:60A
类型:1个P沟道
导通电阻:17mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G230P06T
阈值电压:4V
连续漏极电流:60A
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC60P06-TP
工作温度:-55℃~+175℃
功率:130W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.814nF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC60P06-TP
工作温度:-55℃~+175℃
功率:130W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.814nF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC60P06-TP
工作温度:-55℃~+175℃
功率:130W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.814nF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G230P06T
阈值电压:4V
连续漏极电流:60A
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC60P06-TP
输入电容:5.814nF@25V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:75nC@10V
功率:130W
漏源电压:60V
连续漏极电流:60A
工作温度:-55℃~+175℃
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCAC60P06-TP
工作温度:-55℃~+175℃
功率:130W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.814nF@25V
连续漏极电流:60A
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.76nF@10V
连续漏极电流:60A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.76nF@10V
连续漏极电流:60A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.76nF@10V
连续漏极电流:60A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.76nF@10V
连续漏极电流:60A
类型:1个P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G230P06T
阈值电压:4V
连续漏极电流:60A
类型:1个P沟道
导通电阻:18mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.76nF@10V
栅极电荷:156nC@10V
阈值电压:3V@1mA
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
连续漏极电流:60A
功率:100W
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.76nF@10V
栅极电荷:156nC@10V
阈值电压:3V@1mA
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
连续漏极电流:60A
功率:100W
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: