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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SI5618-TP
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功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：N-Channel
导通电阻：156mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2308BDS-T1-E3
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功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：N-Channel
导通电阻：156mΩ
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SI2308BDS-T1-E3
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功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：N-Channel
导通电阻：156mΩ
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2308BDS-T1-E3
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功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
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输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：N-Channel
导通电阻：156mΩ
漏源电压：60V
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阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：N-Channel
导通电阻：156mΩ
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类型：N-Channel
导通电阻：156mΩ
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规格型号(MPN)：SI5618-TP
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功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
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输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SI5618-TP
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阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
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输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：N-Channel
导通电阻：156mΩ
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ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
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连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
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类型：N-Channel
导通电阻：156mΩ
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规格型号(MPN)：SI5618-TP
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类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
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输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：N-Channel
导通电阻：156mΩ
漏源电压：60V
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输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：N-Channel
导通电阻：156mΩ
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2308BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
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输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：N-Channel
导通电阻：156mΩ
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI5618-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@15V
连续漏极电流：1.9A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.09W€1.66W
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栅极电荷：6.8nC@10V
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输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：N-Channel
导通电阻：156mΩ
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：N-Channel
导通电阻：156mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308BDS-T1-E3
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功率：1.09W€1.66W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
连续漏极电流：1.9A
类型：N-Channel
导通电阻：156mΩ
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
输入电容：580pF@15V
类型：P沟道
功率：830mW
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
输入电容：580pF@15V
类型：P沟道
功率：830mW
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5618-TP
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
输入电容：580pF@15V
类型：P沟道
功率：830mW
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308BDS-T1-E3
连续漏极电流：1.9A
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N-Channel
漏源电压：60V
功率：1.09W€1.66W
栅极电荷：6.8nC@10V
阈值电压：3V@250µA
导通电阻：156mΩ
包装清单：商品主体 * 1
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