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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€115W
阈值电压：4V@122µA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2430pF@30V
连续漏极电流：22A€127A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
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栅极电荷：39nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
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规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
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类型：N沟道
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生产批次：{"21+"：11200}
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：NTBGS3D5N06C
工作温度：-55℃~175℃
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阈值电压：4V@122µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：39nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
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栅极电荷：39nC@10V
连续漏极电流：22A€127A
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：3.7mΩ@24A，12V
功率：3.7W€115W
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工作温度：-55℃~175℃
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工作温度：-55℃~175℃
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栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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