采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP020N06B-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：268nC@10V
包装方式：管件
输入电容：20.93nF@30V
连续漏极电流：313A
类型：1个N沟道
反向传输电容：127pF@30V
导通电阻：1.65mΩ@10V，100A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ14PBF-BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060L
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，24A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP020N06B-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：333W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：268nC@10V
包装方式：管件
输入电容：20.93nF@30V
连续漏极电流：313A
类型：1个N沟道
反向传输电容：127pF@30V
导通电阻：1.65mΩ@10V，100A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060L
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，24A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT69M5LH3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W€96W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.406nF@30V
连续漏极电流：75A
类型：1个N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP060N06NAKSA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3W€83W
阈值电压：2.8V@36μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2nF@30V
连续漏极电流：45A€17A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@45A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：469}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDP6060L
工作温度：-65℃~+175℃
功率：100W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@5V
包装方式：管件
输入电容：2nF@25V
连续漏极电流：48A
类型：1个N沟道
导通电阻：20mΩ@10V，24A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP050AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：245W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.9nF@25V
连续漏极电流：18A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP038AN06A0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6.4nF@25V
连续漏极电流：17A€80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：367pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，80A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
