采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14621}
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14621}
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14621}
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：9nC@5V
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，1.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14621}
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW4N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55ENEAX
功率：1.65W
阈值电压：2.7V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：56mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW4N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB55ENEAX
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
导通电阻：56mΩ@10V，10A
类型：1个N沟道
功率：1.65W
阈值电压：2.7V@250μA
ECCN：EAR99
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
输入电容：345pF@25V
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：100mΩ@4A，10V
阈值电压：2V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
输入电容：345pF@25V
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
栅极电荷：20nC@10V
导通电阻：100mΩ@4A，10V
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
