采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D0UWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：340mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：320mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：340mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：320mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：320mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：320mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：320mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：350pC@4.5V
输入电容：17pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
