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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS020N06CTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：31W
阈值电压：4V@20μA
栅极电荷：5.8nC@10V
输入电容：355pF@30V
连续漏极电流：27A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.9pF@30V
导通电阻：16.9mΩ@10V，4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M67-60EX
功率：31W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：67mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
反向传输电容：4.9pF@30V
输入电容：355pF@30V
功率：31W
阈值电压：4V@20μA
栅极电荷：5.8nC@10V
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：16.9mΩ@10V，4A
连续漏极电流：27A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS020N06CTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：31W
阈值电压：4V@20μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
输入电容：355pF@30V
连续漏极电流：27A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.9pF@30V
导通电阻：16.9mΩ@10V，4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
