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    连续漏极电流
    漏源电压: 60V
    类型: 1个N沟道
    功率: 900mW
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
    库存/批次
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    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订数12000个
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订数12000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:155mΩ@10V,1A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS2310MA 起订1个装
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS2310MA 起订1个装

    品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BRCS2310MA

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:94mΩ@4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS2310MA 起订600个装
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS2310MA 起订600个装

    品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BRCS2310MA

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:94mΩ@4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS2310MA 起订300个装
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS2310MA 起订300个装

    品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BRCS2310MA

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:94mΩ@4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订数6000个
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订数6000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:155mΩ@10V,1A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS2310MA 起订900个装
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS2310MA 起订900个装

    品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BRCS2310MA

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:94mΩ@4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS2310MA 起订600个装
    蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS) Mosfet场效应管 BRCS2310MA 起订600个装

    品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BRCS2310MA

    类型:1个N沟道

    阈值电压:1.8V@250μA

    漏源电压:60V

    功率:900mW

    导通电阻:94mΩ@4.5V

    连续漏极电流:3A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    连续漏极电流:10A

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    功率:900mW

    输入电容:1.081nF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5198NLT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:155mΩ@10V,1A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:155mΩ@10V,1A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6013LFDF-7 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    输入电容:1.081nF@30V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:5.1nC@10V

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:155mΩ@10V,1A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订30000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVR5198NLT1G 起订30000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVR5198NLT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:182pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:155mΩ@10V,1A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR5198NLT1G 起订数75000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTR5198NLT1G 起订数75000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    导通电阻:155mΩ@10V,1A

    栅极电荷:2.8nC@4.5V

    阈值电压:2.5V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:182pF@25V

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:1.7A

    漏源电压:60V

    功率:900mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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