品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:5.1nC@10V
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:155mΩ@10V,1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS2310MA
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250μA
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS2310MA
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250μA
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS2310MA
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250μA
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:5.1nC@10V
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:155mΩ@10V,1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS2310MA
功率:900mW
阈值电压:1.8V@250μA
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS2310MA
类型:1个N沟道
阈值电压:1.8V@250μA
漏源电压:60V
功率:900mW
导通电阻:94mΩ@4.5V
连续漏极电流:3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
功率:900mW
输入电容:1.081nF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:155mΩ@10V,1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:5.1nC@10V
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:155mΩ@10V,1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6013LFDF-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.081nF@30V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:15mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:5.1nC@10V
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:155mΩ@10V,1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVR5198NLT1G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:182pF@25V
连续漏极电流:1.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:155mΩ@10V,1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
导通电阻:155mΩ@10V,1A
栅极电荷:2.8nC@4.5V
阈值电压:2.5V@250μA
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:182pF@25V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:1.7A
漏源电压:60V
功率:900mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: