采购热线 400-661-9010
品牌：安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KDW
功率：200mW
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
功率：300mW
连续漏极电流：340mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KH
功率：350mW
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：安美半导体 ANMEI SEMICONDUCTOR AM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
功率：300mW
连续漏极电流：340mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：2N7002KDW
功率：200mW
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：2N7002K
功率：300mW
连续漏极电流：340mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002KH
功率：350mW
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002K
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类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2N7002KH
功率：350mW
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，300mA
漏源电压：60V
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功率：300mW
连续漏极电流：340mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
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功率：350mW
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漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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功率：350mW
连续漏极电流：250mA
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漏源电压：60V
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