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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK58E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3400pF@30V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
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功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
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ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
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功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
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功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：4V@500µA
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栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK58E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3400pF@30V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK58E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3400pF@30V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A
工作温度：150℃
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：49nC@10V
功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
输入电容：3965pF@30V
ECCN：EAR99
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R606NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€63W
阈值电压：4V@500µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3965pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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