采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4R4P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：48.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@30V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4R4P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：48.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@30V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4R4P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：48.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@30V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4794}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7E13-60E，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.9nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4R4P06PL，RQ
工作温度：175℃
功率：87W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：48.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3280pF@30V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：22.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK58E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3400pF@30V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：22.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
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栅极电荷：22.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：22.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60R217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7613-60E，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：22.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK58E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3400pF@30V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK58E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@500µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3400pF@30V
连续漏极电流：58A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
