采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C673NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C673NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C673NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C673NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C673NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C673NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C673NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C673NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C673NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C673NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C673NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C673NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C673NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C673NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C673NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C673NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C673NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5C673NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@30V
连续漏极电流：13A€50A
类型：N沟道
导通电阻：9.8mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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