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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.3W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12 nC @ 10 V
输入电容：350 pF @ 30 V
连续漏极电流：2.9A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：216 毫欧 @ 2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.3W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12 nC @ 10 V
输入电容：350 pF @ 30 V
连续漏极电流：2.9A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：216 毫欧 @ 2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.3W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12 nC @ 10 V
输入电容：350 pF @ 30 V
连续漏极电流：2.9A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：216 毫欧 @ 2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2W（Ta），4.2W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：30 nC @ 10 V
输入电容：833 pF @ 20 V
连续漏极电流：3.5A（Ta），13A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：89 毫欧 @ 1.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：800mW（Ta）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：8.9 nC @ 10 V
输入电容：612 pF @ 20 V
连续漏极电流：3.2A（Ta）
类型：P 通道
导通电阻：155 毫欧 @ 2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.3W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：12 nC @ 10 V
输入电容：350 pF @ 30 V
连续漏极电流：2.9A（Tc）
类型：P 通道
导通电阻：216 毫欧 @ 2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：3.5A（Ta），13A（Tc）
类型：P 通道
功率：2W（Ta），4.2W（Tc）
导通电阻：89 毫欧 @ 1.5A，4.5V
输入电容：833 pF @ 20 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：30 nC @ 10 V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
