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    品牌
    ON SEMI TI MCC 东芝（TOSHIBA） FAIRCHILD Taiwan Semiconductor 强茂 ST ROHM DIODES NEXPERIA ANBON SEMI VISHAY INFINEON
    漏源电压
    60V
    类型
    N 通道
    工作温度
    -55°C~175°C（TJ） -55°C~150°C（TJ） 150°C（TJ） -65°C~175°C（TJ） -65°C~150°C（TJ）
    包装方式
    卷带（TR） 管件 剪切带（CT）
    功率
    95W（Tc） 300mW 45W（Tc） 104W（Tc） 1.25W（Ta） 150W（Tc） 3W（Ta） 250W（Tc） 2.5W（Ta），25W（Tc） 2.1W（Ta），69W（Tc） 39W（Tc） 430mW（Tc） 230W（Tc） 36W（Tc） 2.5W（Ta），28W（Tc） 225mW（Ta） 625mW（Ta），5.4W（Tc） 68W（Tc） 300mW（Ta） 600mW（Ta） 375W（Tc） 350mW（Ta） 360mW（Ta） 140W（Tc） 3.75W（Ta），272W（Tc） 2.7W（Ta），139W（Tc） 300mW（Tj） 48.4W（Tj） 2.5W（Ta），38W（Tc） 92W（Tc） 4.8W（Ta），187W（Tc） 3.8W（Ta），167W（Tc） 66W（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） 2W（Ta），15W（Tc） 13.6W（Tc） 700mW（Ta） 150mW（Ta） 2.1W（Ta），50W（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） 333W（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） 2.5W（Ta），144W（Tc） 710mW（Ta），8.3W（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） 670mW（Ta），7.5W（Tc） 167W（Tc） 326W（Tc） 3.8W（Ta），37W（Tc） 830mW（Ta） 91W（Tc） 3.1W（Ta），69W（Tc） 231W（Tc） 380mW（Ta），2.8W（Tc） 200W（Tc） 115W（Tc） 2.3W（Ta），40W（Tc） 85W（Tc） 238W（Ta） 2.2W（Ta） 500mW（Ta） 5W（Ta），57W（Tc） 2.5W（Ta），63W（Tc） 57W（Tc） 2.5W（Ta），42W（Tc） 100W（Tc） 110W（Tc） 3.6W（Ta），43W（Tc） 3.5W（Ta），19W（Tc） 263W（Tc） 30W（Tc） 3.2W（Ta），19.8W（Tc） 3W（Ta），214W（Tc） 4W（Ta），115W（Tc） 3.1W（Ta），127W（Tc） 3.1W（Ta），68W（Tc） 60W（Tc） 3.6W（Ta），46W（Tc） 380W（Tc） 200mW（Ta） 79W（Tc） 830mW（Tc） 3W（Ta），43W（Tc） 188W（Tc） 5.7W（Ta），31.25W（Tc） 3.8W（Ta），42W（Tc） 3.9W（Ta），113W（Tc）
    行业应用
    汽车 工业
    阈值电压
    1V @ 250µA 4V @ 250µA 2.1V @ 1mA 4V @ 1mA 4.5V @ 250µA 3V @ 250µA 2.7V @ 250µA 1.5V @ 250µA 2.1V @ 250µA 2V @ 250µA 3.5V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.3V @ 1mA 2V @ 135µA 4V @ 90µA 1.4V @ 26µA 2.2V @ 34µA 2.8V @ 143µA 2.2V @ 93µA 2.3V @ 36µA 3.6V @ 250µA 2.2V @ 23µA 2V @ 25µA 4.9V @ 150µA 4V @ 100µA 3.7V @ 150µA 2.2V @ 196µA 4V @ 35µA 2.2V @ 58µA 2V @ 40µA 3.3V @ 280µA 2.4V @ 1mA 2.45V @ 1mA 2V @ 10µA 2.2V @ 11µA 3V @ 1mA 4V @ 140µA 3.4V @ 250µA
    栅极电荷
    19 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 23 nC @ 10 V 33.2 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V 160 nC @ 10 V 163 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 53 nC @ 10 V 9 nC @ 10 V 46 nC @ 10 V 140 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V 29 nC @ 4.5 V 12 nC @ 10 V 18 nC @ 10 V 4.1 nC @ 4.5 V 34 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 0.8 nC @ 4.5 V 100 nC @ 10 V 3.8 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 78 nC @ 7.5 V 34 nC @ 4.5 V 11 nC @ 10 V 0.7 nC @ 10 V 79 nC @ 4.5 V 1.4 nC @ 10 V 130.6 nC @ 10 V 0.9 nC @ 4.5 V 120 nC @ 10 V 0.81 nC @ 5 V 9.6 nC @ 10 V 195 nC @ 10 V 13 nC @ 5 V 63 nC @ 10 V 290 nC @ 10 V 90 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V 166 nC @ 4.5 V 14.5 nC @ 10 V 151 nC @ 10 V 13.7 nC @ 10 V 6.4 nC @ 5 V 8.4 nC @ 5 V 35 nC @ 5 V 106 nC @ 10 V 85 nC @ 10 V 13 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 12.3 nC @ 10 V 255 nC @ 4.5 V 37.2 nC @ 10 V 6 nC @ 10 V 102.6 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 0.35 nC @ 4.5 V 2.4 nC @ 10 V 9.7 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 287 nC @ 10 V 9.3 nC @ 10 V 50 nC @ 4.5 V 65 nC @ 10 V 140 nC @ 4.5 V 52 nC @ 10 V 18 nC @ 5 V 13.5 nC @ 10 V 60 nC @ 5 V 210 nC @ 10 V 103 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V
    连续漏极电流
    6A（Tc） 150A（Tc） 8A（Tc） 100A（Tc） 32A（Tc） 30A（Tc） 2.7A（Ta） 3A（Ta） 11A（Tc） 14A（Tc） 60A（Tc） 35A（Tc） 53A（Tc） 20A（Tc） 47A（Tc） 80A（Tc） 440mA（Tc） 12A（Tc） 9A（Tc） 50A（Tc） 1.8A（Ta） 17A（Tc） 3.5A（Ta） 4.3A（Ta），10A（Tc） 2.7A（Ta），7.4A（Tc） 310mA（Ta） 84A（Tc） 70A（Tc） 7.7A（Tc） 5.4A（Ta） 14A（Ta），42A（Tc） 11A（Ta），20A（Tc） 260mA（Ta） 31A（Ta），237A（Tc） 57A（Tc） 12A（Ta）44A（Tc） 21.5A（Ta），50A（Tc） 79A（Tc） 400mA（Ta） 29A（Ta），155A（Tc） 14A（Ta），68A（Tc） 36A（Ta），235A（Tc） 90A（Tc） 10A（Ta），12A（Tc） 110A（Tc） 4A（Ta），11A（Tc） 115mA（Tc） 100A（Ta） 115mA（Ta） 173A（Tc） 320mA（Ta） 215A（Tc） 9.9A（Ta），50A（Tc） 450mA（Ta） 170mA（Ta） 195A（Tc） 75A（Tc） 170A（Tc） 2.7A（Tc） 115mA 18A（Ta），40A（Tc） 8A（Ta），35A（Tc） 230mA（Ta） 61A（Tc） 300A（Tc） 340mA（Ta） 13.5A（Ta），22A（Tc） 380mA（Ta） 2.5A（Ta） 11.5A（Ta），50A（Tc） 25A（Tc） 17.2A（Tc） 48A（Tc） 120A（Tc） 12A（Ta），36A（Tc） 15.2A（Ta），52.1A（Tc） 300mA（Tc） 14A（Ta），50A（Tc） 500mA（Ta） 23A（Ta），79.4A（Tc） 9.1A（Ta），21.4A（Tc） 29A（Ta），120A（Tc） 31A（Ta），164A（Tc）
    漏源电压： 60V
    类型： N 通道
    当前匹配商品：400+
    重置
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5353 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5353 起订2个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD5353

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：3.1W（Ta），69W（Tc）

    阈值电压：3V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：65 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：3215 pF @ 30 V

    连续漏极电流：11.5A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：12.3 毫欧 @ 10.7A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

    - +
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    onsemi Mosfet场效应管 FDD86540 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86540 起订2500个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD86540

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：3.1W（Ta），127W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：90 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：6340 pF @ 30 V

    连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86520 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86520 起订3个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDMS86520

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：2.5W（Ta），69W（Tc）

    阈值电压：4.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：40 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：2850 pF @ 30 V

    连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 NDT014 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT014 起订4个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：NDT014

    工作温度：-65°C~150°C（TJ）

    功率：3W（Ta）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：11 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：155 pF @ 25 V

    连续漏极电流：2.7A（Ta）

    类型：N 通道

    导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 NDT014 起订4000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT014 起订4000个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：NDT014

    工作温度：-65°C~150°C（TJ）

    功率：3W（Ta）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：11 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：155 pF @ 25 V

    连续漏极电流：2.7A（Ta）

    类型：N 通道

    导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD5353 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5353 起订2500个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD5353

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：3.1W（Ta），69W（Tc）

    阈值电压：3V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：65 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：3215 pF @ 30 V

    连续漏极电流：11.5A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：12.3 毫欧 @ 10.7A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD86540 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86540 起订2个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD86540

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：3.1W（Ta），127W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：90 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：6340 pF @ 30 V

    连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    ANBON SEMI Mosfet场效应管 2N7002EY 起订19个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 2N7002EY 起订19个装

    品牌：ANBON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：2N7002EY

    工作温度：150°C（TJ）

    功率：350mW（Ta）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：2.4 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：18 pF @ 30 V

    连续漏极电流：340mA（Ta）

    类型：N 通道

    导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订2个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD13AN06A0

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：115W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：29 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD5353 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5353 起订2个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD5353

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：3.1W（Ta），69W（Tc）

    阈值电压：3V @ 250µA

    栅极电荷：65 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：3215 pF @ 30 V

    连续漏极电流：11.5A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：12.3 毫欧 @ 10.7A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD86540 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86540 起订2个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD86540

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：3.1W（Ta），127W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：90 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：6340 pF @ 30 V

    连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86520 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86520 起订10个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDMS86520

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：2.5W（Ta），69W（Tc）

    阈值电压：4.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：40 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：2850 pF @ 30 V

    连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD5612 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5612 起订2个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD5612

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：3.8W（Ta），42W（Tc）

    阈值电压：3V @ 250µA

    栅极电荷：11 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：660 pF @ 30 V

    连续漏极电流：5.4A（Ta）

    类型：N 通道

    导通电阻：55 毫欧 @ 5.4A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86520 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86520 起订500个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDMS86520

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：2.5W（Ta），69W（Tc）

    阈值电压：4.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：40 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：2850 pF @ 30 V

    连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3 起订10个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：50psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：HUF76423P3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：85W（Tc）

    阈值电压：3V @ 250µA

    栅极电荷：34 nC @ 10 V

    包装方式：管件

    输入电容：1060 pF @ 25 V

    连续漏极电流：35A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：30 毫欧 @ 35A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD5353 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5353 起订500个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD5353

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：3.1W（Ta），69W（Tc）

    阈值电压：3V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：65 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：3215 pF @ 30 V

    连续漏极电流：11.5A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：12.3 毫欧 @ 10.7A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD5353 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5353 起订10个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD5353

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：3.1W（Ta），69W（Tc）

    阈值电压：3V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：65 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：3215 pF @ 30 V

    连续漏极电流：11.5A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：12.3 毫欧 @ 10.7A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NDT014 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT014 起订1000个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    生产批次：{"21+"：1596，"22+"：16939，"MI+"：3727}

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：NDT014

    工作温度：-65°C~150°C（TJ）

    功率：3W（Ta）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：11 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：155 pF @ 25 V

    连续漏极电流：2.7A（Ta）

    类型：N 通道

    导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3 起订2个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    包装规格(MPQ)：50psc

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：HUF76423P3

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：85W（Tc）

    阈值电压：3V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：34 nC @ 10 V

    包装方式：管件

    输入电容：1060 pF @ 25 V

    连续漏极电流：35A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：30 毫欧 @ 35A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数1000个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：45W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    栅极电荷：44 nC @ 10 V

    输入电容：2086 pF @ 30 V

    连续漏极电流：32A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：17 毫欧 @ 7.1A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD5353 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5353 起订100个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD5353

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：3.1W（Ta），69W（Tc）

    阈值电压：3V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：65 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：3215 pF @ 30 V

    连续漏极电流：11.5A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：12.3 毫欧 @ 10.7A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数500个

    品牌：VISHAY

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：45W（Tc）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    栅极电荷：44 nC @ 10 V

    输入电容：2086 pF @ 30 V

    连续漏极电流：32A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：17 毫欧 @ 7.1A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 BSS138NH6327XTSA2 起订数100个
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS138NH6327XTSA2 起订数100个

    品牌：INFINEON

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

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    销售单位：个

    规格型号(MPN)：BSS138NH6327XTSA2

    工作温度：-55℃~150℃

    功率：360mW

    阈值电压：1.4V@26µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：1.4nC@10V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：41pF@25V

    连续漏极电流：230mA

    类型：N沟道

    导通电阻：3.5Ω@230mA，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86520 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86520 起订100个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDMS86520

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：2.5W（Ta），69W（Tc）

    阈值电压：4.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：40 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：2850 pF @ 30 V

    连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD86540 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86540 起订1000个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    生产批次：{"22+"：12250，"23+"：7200，"MI+"：2500}

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD86540

    工作温度：-55°C~150°C（TJ）

    功率：3.1W（Ta），127W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：90 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：6340 pF @ 30 V

    连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订10个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

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    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD13AN06A0

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：115W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：29 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    ANBON SEMI Mosfet场效应管 2N7002EY 起订1000个装
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 2N7002EY 起订1000个装

    品牌：ANBON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：2N7002EY

    工作温度：150°C（TJ）

    功率：350mW（Ta）

    阈值电压：2.5V @ 250µA

    ECCN：EAR99

    栅极电荷：2.4 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：18 pF @ 30 V

    连续漏极电流：340mA（Ta）

    类型：N 通道

    导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订100个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD13AN06A0

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：115W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：29 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0 起订2500个装

    品牌：ON SEMI

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

    数据手册

    销售单位：个

    规格型号(MPN)：FDD13AN06A0

    工作温度：-55°C~175°C（TJ）

    功率：115W（Tc）

    阈值电压：4V @ 250µA

    栅极电荷：29 nC @ 10 V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）

    类型：N 通道

    导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订数9000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订数9000个

    品牌：NEXPERIA

    分类：Mosfet场效应管

    行业应用：工业,汽车

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    销售单位：个

    规格型号(MPN)：PMV37ENEAR

    工作温度：-55℃~175℃

    功率：710mW€8.3W

    阈值电压：2.7V@250µA

    栅极电荷：13nC@10V

    包装方式：卷带（TR）

    输入电容：450pF@30V

    连续漏极电流：3.5A

    类型：N沟道

    导通电阻：49mΩ@3.5A，10V

    漏源电压：60V

    包装清单：商品主体 * 1

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