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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA106DJ-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA106DJ-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.5W(Ta),19W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:13.5 nC @ 10 V

    输入电容:540 pF @ 30 V

    连续漏极电流:10A(Ta),12A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:18.5 毫欧 @ 4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA106DJ-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA106DJ-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.5W(Ta),19W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:13.5 nC @ 10 V

    输入电容:540 pF @ 30 V

    连续漏极电流:10A(Ta),12A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:18.5 毫欧 @ 4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Ta),43W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    输入电容:1185 pF @ 30 V

    连续漏极电流:15.2A(Ta),52.1A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.8 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR4602LDP-T1-RE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.6W(Ta),43W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    输入电容:1185 pF @ 30 V

    连续漏极电流:15.2A(Ta),52.1A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:8.8 毫欧 @ 10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31-BE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31-BE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5.7W(Ta),31.25W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:17 nC @ 10 V

    输入电容:670 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.1A(Ta),21.4A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:31 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),3.1W(Tc)

    阈值电压:2V @ 250µA

    栅极电荷:8.4 nC @ 5 V

    输入电容:400 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:50 pF @ 25 V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:57W(Tc)

    阈值电压:3.6V @ 250µA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    输入电容:1710 pF @ 30 V

    连续漏极电流:60A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.5 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),3.1W(Tc)

    阈值电压:2V @ 250µA

    栅极电荷:8.4 nC @ 5 V

    输入电容:400 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL014TRPBF-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),3.1W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:11 nC @ 10 V

    输入电容:300 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5.7W(Ta),31.25W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:17 nC @ 10 V

    输入电容:670 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.1A(Ta),21.4A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:31 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.2W(Ta),19.8W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:20 nC @ 10 V

    输入电容:665 pF @ 15 V

    连续漏极电流:6A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:58 毫欧 @ 5.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.2W(Ta),19.8W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:20 nC @ 10 V

    输入电容:665 pF @ 15 V

    连续漏极电流:6A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:58 毫欧 @ 5.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),3.1W(Tc)

    阈值电压:2V @ 250µA

    栅极电荷:8.4 nC @ 5 V

    输入电容:400 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLL014TRPBF-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2W(Ta),3.1W(Tc)

    阈值电压:2V @ 250µA

    栅极电荷:8.4 nC @ 5 V

    输入电容:400 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:200 毫欧 @ 1.6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.2W(Ta),19.8W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:20 nC @ 10 V

    输入电容:665 pF @ 15 V

    连续漏极电流:6A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:58 毫欧 @ 5.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:50 pF @ 25 V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订数5000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS26DN-T1-GE3 起订数5000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:57W(Tc)

    阈值电压:3.6V @ 250µA

    栅极电荷:37 nC @ 10 V

    输入电容:1710 pF @ 30 V

    连续漏极电流:60A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:4.5 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.2W(Ta),19.8W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:20 nC @ 10 V

    输入电容:665 pF @ 15 V

    连续漏极电流:6A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:58 毫欧 @ 5.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:50 pF @ 25 V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:200mW(Ta)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    输入电容:50 pF @ 25 V

    连续漏极电流:115mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:7.5 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR014TRLPBF-BE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR014TRLPBF-BE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),25W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:11 nC @ 10 V

    输入电容:300 pF @ 25 V

    连续漏极电流:7.7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:200 毫欧 @ 4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR014PBF 起订数1050个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR014PBF 起订数1050个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),25W(Tc)

    阈值电压:2V @ 250µA

    栅极电荷:8.4 nC @ 5 V

    输入电容:400 pF @ 25 V

    连续漏极电流:7.7A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:200 毫欧 @ 4.6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31-BE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31-BE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5.7W(Ta),31.25W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:17 nC @ 10 V

    输入电容:670 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.1A(Ta),21.4A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:31 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD23N06-31-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:5.7W(Ta),31.25W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:17 nC @ 10 V

    输入电容:670 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.1A(Ta),21.4A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:31 毫欧 @ 15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR024TRPBF 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR024TRPBF 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:2V @ 250µA

    栅极电荷:18 nC @ 5 V

    输入电容:870 pF @ 25 V

    连续漏极电流:14A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:100 毫欧 @ 8.4A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR024TRPBF-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR024TRPBF-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:25 nC @ 10 V

    输入电容:640 pF @ 25 V

    连续漏极电流:14A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:100 毫欧 @ 8.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2334

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:104W(Tc)

    阈值电压:3.4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78 nC @ 7.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130 pF @ 30 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.7 毫欧 @ 20A,10V

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