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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G170P06M
阈值电压：3.5V
连续漏极电流：65A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8123，L1Q
功率：84W
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：50A
类型：1个P沟道
导通电阻：14.9mΩ@6V，25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6Y33-60P，115
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：2.59nF@30V
连续漏极电流：30A
类型：1个P沟道
导通电阻：33mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT065P06D5
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：103A
类型：1个P沟道
导通电阻：5.9mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327
功率：1.8W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：1.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT042P06T
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：160A
类型：1个P沟道
导通电阻：3.7mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP315PH6327
功率：1.8W
阈值电压：2V@160μA
连续漏极电流：1.17A
类型：1个P沟道
导通电阻：800mΩ@10V，1.17A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G700P06D3
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
类型：1个P沟道
导通电阻：57mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G700P06D3
阈值电压：2.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
类型：1个P沟道
导通电阻：57mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G080P06M
阈值电压：4V
连续漏极电流：195A
类型：1个P沟道
导通电阻：6.2mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1K1P06LL
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：85mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G230P06K
阈值电压：4V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：17mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD15P06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：15A€4A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G230P06D5
阈值电压：4V
连续漏极电流：48A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD14P06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：14A€3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB409L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.1W€83.3W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.953nF@30V
连续漏极电流：5A€31.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：38mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G230P06T
阈值电压：4V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G700P06D5
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：25A
类型：1个P沟道
导通电阻：58mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PWH6327
功率：300mW
阈值电压：2V@20μA
连续漏极电流：150mA
类型：1个P沟道
导通电阻：8Ω@10V，150mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0605
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L035ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.19nF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7439-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：1个P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB409L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.1W€83.3W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.953nF@30V
连续漏极电流：5A€31.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：38mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB409L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.1W€83.3W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：52nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.953nF@30V
连续漏极电流：5A€31.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：38mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6L035ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.19nF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：78mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD14P06A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：14A€3.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：110mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G300P06D5
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：40A
类型：1个P沟道
导通电阻：25mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
