品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:19.4nC@10V
输入电容:1.03nF@30V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@10V,4.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:19.4nC@10V
输入电容:1.03nF@30V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@10V,4.5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1K1P06HH
阈值电压:4V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:90mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G1K1P06HH
阈值电压:4V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:90mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: