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    onsemi Mosfet场效应管 FDC5614P 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5614P 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:105mΩ@10V,3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@30V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD15P06A-AU_L2_000A1 起订15个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD15P06A-AU_L2_000A1 起订15个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD15P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€25W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:879pF@30V

    连续漏极电流:15A€4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:68mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7439-AU_R1_000A1 起订21个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7439-AU_R1_000A1 起订21个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订17个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订17个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0605 起订44个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0605 起订44个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS0605

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:360mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:79pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7439-AU_R1_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7439-AU_R1_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A_L2_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A_L2_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-7 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-7 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@30V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350S-7 起订数25个
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6350S-7 起订数25个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:720mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:4.1nC@10V

    输入电容:206pF@30V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:350mΩ@10V,900mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5614P 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5614P 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:105mΩ@10V,3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 25P06 起订30个装
    谷峰 Mosfet场效应管 25P06 起订30个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):25P06

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:100W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:37nC@10V

    输入电容:3.384nF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:31mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0605 起订18个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0605 起订18个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS0605

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:360mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:79pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5614P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5614P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:105mΩ@10V,3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC28P06Y-TP 起订数1000个
    MCC Mosfet场效应管 MCAC28P06Y-TP 起订数1000个

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC28P06Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订6000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订6000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5614P 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5614P 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:105mΩ@10V,3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0605 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS0605 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS0605

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:360mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:2.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:79pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A_L2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A_L2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A_L2_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A_L2_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订数9000个
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订数9000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:125mΩ@10V,2.3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-E3 起订数21000个
    VISHAY Mosfet场效应管 TP0610K-T1-E3 起订数21000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:1.7nC@15V

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:185mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:6Ω@10V,500mA

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6110SVTQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6110SVTQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:969pF@30V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:105mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7439-AU_R1_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJC7439-AU_R1_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJC7439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD14P06A-AU_L2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD14P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€40W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:14A€3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:110mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCAC28P06Y-TP 起订数100个
    MCC Mosfet场效应管 MCAC28P06Y-TP 起订数100个

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCAC28P06Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@30V

    连续漏极电流:28A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数750个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7465DP-T1-GE3 起订数750个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:64mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD9P06A-AU_L2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD9P06A-AU_L2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD9P06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€15.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@30V

    连续漏极电流:2.5A€7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:170mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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