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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4559ADY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€3.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V€650pF@15V
连续漏极电流：5.3A€3.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G180C06Y
阈值电压：4V€2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A€50A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V€19mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M31HZGTB
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：7nC@5V€40nC@10V
输入电容：500pF@10V€2.5nF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：70mΩ@4.5A，10V€65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G180C06Y
阈值电压：4V€2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A€50A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V€19mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€3.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A€3.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M31HZGTB
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：7nC@5V€40nC@10V
输入电容：500pF@10V€2.5nF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：70mΩ@4.5A，10V€65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G180C06Y
阈值电压：4V€2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A€50A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V€19mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1029SV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G180C06Y
阈值电压：4V€2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A€50A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V€19mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G180C06Y
阈值电压：4V€2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A€50A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V€19mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M31HZGTB
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：7nC@5V€40nC@10V
输入电容：500pF@10V€2.5nF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：70mΩ@4.5A，10V€65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G180C06Y
阈值电压：4V€2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A€50A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V€19mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G180C06Y
阈值电压：4V€2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A€50A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V€19mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G180C06Y
阈值电压：4V€2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A€50A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V€19mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M31HZGTB
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：7nC@5V€40nC@10V
输入电容：500pF@10V€2.5nF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：70mΩ@4.5A，10V€65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G180C06Y
阈值电压：4V€2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A€50A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V€19mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4559ADY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€3.4W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：665pF@15V€650pF@15V
连续漏极电流：5.3A€3.9A
类型：N和P沟道
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：300pC@4.5V
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：300pC@4.5V
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：300pC@4.5V
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G180C06Y
阈值电压：4V€2V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A€50A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：14mΩ@10V€19mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG1029SV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：450mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V€25pF@25V
连续漏极电流：500mA€360mA
类型：N和P沟道
导通电阻：1.7Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8M31HZGTB
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：7nC@5V€40nC@10V
输入电容：500pF@10V€2.5nF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：70mΩ@4.5A，10V€65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8690-TL-H
功率：1.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：955pF@20V
连续漏极电流：4.7A€3.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€3.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A€3.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€3.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A€3.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€3.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A€3.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€3.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A€3.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€3.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A€3.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€3.4W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：665pF@15V
连续漏极电流：5.3A€3.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：58mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
