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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
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漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
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漏源电压：60V
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功率：1.9W
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功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
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类型：P沟道
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功率：1.9W
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栅极电荷：190nC@10V
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功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：8.6A
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规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
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功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
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规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
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连续漏极电流：8.6A
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功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
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连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
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规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-GE3
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连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
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规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-GE3
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连续漏极电流：8.6A
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规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-GE3
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功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP83P06PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€150W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：P沟道
导通电阻：8.8mΩ@41.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
