采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
栅极电荷：3.57nC@10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
阈值电压：2V@80µA
导通电阻：2Ω@330mA，10V
连续漏极电流：330mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PH6327XTSA2
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：60V
栅极电荷：1.5nC@10V
导通电阻：8Ω@170mA，10V
类型：P沟道
输入电容：19pF@25V
阈值电压：2V@20µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：60V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
ECCN：EAR99
阈值电压：2.4V@1mA
导通电阻：10Ω@200mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
栅极电荷：3.57nC@10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
阈值电压：2V@80µA
导通电阻：2Ω@330mA，10V
连续漏极电流：330mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
栅极电荷：2.5nC@10V
漏源电压：60V
导通电阻：10Ω@500mA，10V
阈值电压：3.5V@1mA
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
输入电容：79pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
栅极电荷：2.5nC@10V
漏源电压：60V
导通电阻：10Ω@500mA，10V
阈值电压：3.5V@1mA
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
输入电容：79pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PH6327XTSA2
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：60V
栅极电荷：1.5nC@10V
导通电阻：8Ω@170mA，10V
类型：P沟道
输入电容：19pF@25V
ECCN：EAR99
阈值电压：2V@20µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
栅极电荷：3.57nC@10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
阈值电压：2V@80µA
导通电阻：2Ω@330mA，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：330mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：60V
连续漏极电流：120mA
阈值电压：2.4V@1mA
导通电阻：10Ω@200mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
栅极电荷：2.5nC@10V
漏源电压：60V
导通电阻：10Ω@500mA，10V
阈值电压：3.5V@1mA
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
输入电容：79pF@25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS17EP06LMXTSA1
连续漏极电流：300mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
栅极电荷：1.79nC@10V
漏源电压：60V
输入电容：55pF@30V
阈值电压：2V@34µA
类型：P沟道
导通电阻：1.7Ω@300mA，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PH6433XTMA1
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：60V
栅极电荷：1.5nC@10V
导通电阻：8Ω@170mA，10V
类型：P沟道
输入电容：19pF@25V
ECCN：EAR99
阈值电压：2V@20µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
栅极电荷：2.5nC@10V
漏源电压：60V
导通电阻：10Ω@500mA，10V
阈值电压：3.5V@1mA
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
输入电容：79pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
栅极电荷：3.57nC@10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
阈值电压：2V@80µA
导通电阻：2Ω@330mA，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：330mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP0610T-G
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
输入电容：60pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：60V
连续漏极电流：120mA
阈值电压：2.4V@1mA
导通电阻：10Ω@200mA，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
栅极电荷：3.57nC@10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
阈值电压：2V@80µA
导通电阻：2Ω@330mA，10V
连续漏极电流：330mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
栅极电荷：3.57nC@10V
漏源电压：60V
类型：P沟道
阈值电压：2V@80µA
导通电阻：2Ω@330mA，10V
ECCN：EAR99
连续漏极电流：330mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PH6327XTSA2
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：60V
栅极电荷：1.5nC@10V
导通电阻：8Ω@170mA，10V
类型：P沟道
输入电容：19pF@25V
阈值电压：2V@20µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISS17EP06LMXTSA1
连续漏极电流：300mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
栅极电荷：1.79nC@10V
漏源电压：60V
输入电容：55pF@30V
阈值电压：2V@34µA
类型：P沟道
导通电阻：1.7Ω@300mA，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84PH6327XTSA2
连续漏极电流：170mA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
漏源电压：60V
栅极电荷：1.5nC@10V
导通电阻：8Ω@170mA，10V
类型：P沟道
输入电容：19pF@25V
阈值电压：2V@20µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
栅极电荷：2.5nC@10V
漏源电压：60V
导通电阻：10Ω@500mA，10V
阈值电压：3.5V@1mA
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
输入电容：79pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
栅极电荷：2.5nC@10V
漏源电压：60V
导通电阻：10Ω@500mA，10V
阈值电压：3.5V@1mA
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
输入电容：79pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@330mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@330mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
