品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:640mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0606N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0606N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
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包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:640mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0606N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
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包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:640mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:640mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1342-E
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1150pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0606N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:3.5V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:750mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0606N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
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类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1342-E
工作温度:150℃
功率:15W
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栅极电荷:26nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1150pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:640mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0606N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0606N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
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连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
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包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0606N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
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连续漏极电流:320mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
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输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2206N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:740mW
阈值电压:3.5V@10mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:640mA
类型:P沟道
导通电阻:900mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
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类型:P沟道
导通电阻:12Ω@500mA,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP0606N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:320mA
类型:P沟道
导通电阻:3.5Ω@750mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VP0106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: