采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD17P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS0610
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：3.5V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：79pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD11P06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：P沟道
导通电阻：185mΩ@4.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN5618P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：13.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@30V
连续漏极电流：1.25A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
