包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS014N06CLTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：37W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：15mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN65D8LV-13

工作温度：-55℃~+150℃

功率：370mW

阈值电压：2V

栅极电荷：870pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：310mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035AN06A0

工作温度：-55℃~+175℃

功率：310W

阈值电压：2V

栅极电荷：124nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：3.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"14+"：0}

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035AN06A0

工作温度：-55℃~+175℃

功率：310W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：124nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：3.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTTFS5D1N06HLTAG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：78A

类型：MOSFET

导通电阻：5.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035AN06A0

工作温度：-55℃~+175℃

功率：310W

阈值电压：2V

栅极电荷：124nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：3.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS014N06CLTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：37W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：15mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035AN06A0

工作温度：-55℃~+175℃

功率：310W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：124nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：3.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SISS22DN-T1-GE3

工作温度：-55℃~+150℃

功率：65.7W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：44nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90.6A

类型：MOSFET

导通电阻：4mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035AN06A0

工作温度：-55℃~+175℃

功率：310W

阈值电压：2V

栅极电荷：124nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：3.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035AN06A0

工作温度：-55℃~+175℃

功率：310W

阈值电压：2V

栅极电荷：124nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：3.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035AN06A0

工作温度：-55℃~+175℃

功率：310W

阈值电压：2V

栅极电荷：124nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：3.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTTFS5D1N06HLTAG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：78A

类型：MOSFET

导通电阻：5.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTTFS5D1N06HLTAG

工作温度：-55℃~+150℃

功率：63W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：22.5nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：78A

类型：MOSFET

导通电阻：5.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：22+

包装规格(MPQ)：10000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：DMN65D8LV-13

工作温度：-55℃~+150℃

功率：370mW

阈值电压：2V

栅极电荷：870pC

包装方式：Reel

连续漏极电流：310mA

类型：MOSFET

导通电阻：3Ω

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：ISP25DP06LMSATMA1

工作温度：-55℃~+150℃

功率：5W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：13.9nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：1.9A

类型：MOSFET

导通电阻：250mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS014N06CLTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：37W

阈值电压：2V

栅极电荷：9.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：15mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"20+"：2900}

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：NTMYS014N06CLTWG

工作温度：-55℃~+175℃

功率：37W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：9.7nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：36A

类型：MOSFET

导通电阻：15mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035AN06A0

工作温度：-55℃~+175℃

功率：310W

阈值电压：2V

ECCN：EAR99

栅极电荷：124nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：3.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDB035AN06A0

工作温度：-55℃~+175℃

功率：310W

阈值电压：2V

栅极电荷：124nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：80A

类型：MOSFET

导通电阻：3.2mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1