品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB00EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ960EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ968EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:714pF@30V
连续漏极电流:23.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:33.6mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:64mΩ@3.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18.5pF@30V
连续漏极电流:370mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1926DL-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18.5pF@30V
连续漏极电流:370mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:64mΩ@3.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ952EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4900DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ952EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4900DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB00EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIZ250DT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.3W€33W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@30V€790pF@30V
连续漏极电流:14A€38A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ968EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:714pF@30V
连续漏极电流:23.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:33.6mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ262EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W€48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@25V€1260pF@25V
连续漏极电流:15A€40A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9945BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4900DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4946BEY-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:41mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4946BEY-T1-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@30V
连续漏极电流:6.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:41mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS966ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27.8W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:572pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@1.25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4946CEY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: