采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
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规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
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功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
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类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
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规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
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导通电阻：4Ω@500mA，10V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
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分类：Mosfet场效应管
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分类：Mosfet场效应管
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
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类型：2个P沟道（双）
导通电阻：68mΩ@6A，10V
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规格型号(MPN)：PJT7839_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
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类型：2个P沟道（双）
导通电阻：4Ω@500mA，10V
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工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：68mΩ@6A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：12A
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类型：2个P沟道（双）
功率：3.5W
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM680P06DPQ56 RLG
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：68mΩ@6A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：12A
漏源电压：60V
类型：2个P沟道（双）
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包装清单：商品主体 * 1
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