品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7008-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@500µA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10KN3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7008-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0606L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:330mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@500µA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10KN3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0606L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:330mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0606N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@750mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0606N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@750mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7008-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10KN3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TN0606N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@750mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7008-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0106N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:65pF@25V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7000-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0606L-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:330mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7008-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7008-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:袋
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:230mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10KN3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: