品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
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连续漏极电流:2A
类型:N沟道
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漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF
工作温度:150℃
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类型:N沟道
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":37900,"15+":2558,"17+":48041}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH3486-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:310pF@20V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:137mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF
工作温度:150℃
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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包装方式:卷带(TR)
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:300mΩ@1A,10V
类型:N沟道
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功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":37900,"15+":2558,"17+":48041}
规格型号(MPN):MCH3486-TL-H
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包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:60V
栅极电荷:7nC@10V
导通电阻:137mΩ@1A,10V
功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:300mΩ@1A,10V
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
漏源电压:60V
阈值电压:2V@1mA
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功率:1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF
工作温度:150℃
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包装方式:卷带(TR)
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类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF
工作温度:150℃
功率:1W
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ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
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导通电阻:300mΩ@1A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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