品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G08N06S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:979pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G08N06S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:979pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G08N06S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:979pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:620pF@30V
连续漏极电流:2.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:170mΩ@10V,2.4A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: